Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 273 A 81 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
243-9267
Herst. Teile-Nr.:
IPB110P06LMATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

273A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

iPB

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.7mΩ

Channel-Modus

N

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der P-Kanal-Kleinsignaltransistor von Infineon hat eine bleifreie Leiterbeschichtung. Der Ableitstrom und die Ableit-Quellenspannung von MOSFETs beträgt 100 A bzw. –60 V. Er hat einen sehr niedrigen Widerstandswert. Die Betriebstemperatur beträgt -55 °C bis 150 °C.

SMD-Technologie

Logikpegelverfügbarkeit

Einfache Schnittstelle zur Mikrocontroller-Einheit (MCU)

Schnelle Schaltfrequenz-

Avalanche-Härte

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