Infineon Dual-N-Kanal-Normalpegel-Anreicherungsmodus IPG16N10S4-61 Typ N-Kanal MOSFET 100 V Zweifach N / 16 A 29 W,

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RS Best.-Nr.:
243-9342
Herst. Teile-Nr.:
IPG16N10S461ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

16A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SuperSO8 5 x 6

Serie

IPG16N10S4-61

Pinanzahl

8

Channel-Modus

Zweifach N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

29W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5.4nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Transistor-Konfiguration

Dual-N-Kanal-Normalpegel-Anreicherungsmodus

Normen/Zulassungen

RoHS, AEC Q101

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon MOSFET ist ein Dual N-Kanal Normal Level-Logic Level, AEC Q101 qualifiziert und 100 % Avalanche-getestet.

N-Kanal

100 % Avalanche-getestet

AEC Q101 qualifiziert

MSL1 bis zu 260 °C Spitzenrückfluss

175 °C Betriebstemperatur

Grünes Produkt (RoHS-konform)

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