ROHM RV1C002UN Typ N-Kanal MOSFET N 1.2 V / 10.3 A 104 W, 3-Pin DFN0806-3

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RS Best.-Nr.:
244-0120
Herst. Teile-Nr.:
RV1C002UNT2CL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1.2V

Gehäusegröße

DFN0806-3

Serie

RV1C002UN

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.7mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS, Pb-free lead plating

Automobilstandard

Nein

Der Rohm MOSFET verfügt über eine integrierte ESD-Schutzdiode und wird mit einem extrem kleinen VML0806-Gehäuse geliefert. Er hat einen Lagertemperaturbereich von -55 °C bis 155 °C und ist für allgemeine Gleichrichtung geeignet.

Niederspannungsantrieb (1,2 V)

Das ultrakleine Gehäuse (Größe 0806)

Für ParTable Geräte.

Einfache Antriebskreise möglich

Integrierte ESD-Schutzdiode.

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