ROHM RV1C002UN Typ N-Kanal MOSFET N 1.2 V / 10.3 A 104 W, 3-Pin DFN0806-3
- RS Best.-Nr.:
- 244-0121
- Herst. Teile-Nr.:
- RV1C002UNT2CL
- Marke:
- ROHM
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- Herst. Teile-Nr.:
- RV1C002UNT2CL
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2V | |
| Gehäusegröße | DFN0806-3 | |
| Serie | RV1C002UN | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, Pb-free lead plating | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2V | ||
Gehäusegröße DFN0806-3 | ||
Serie RV1C002UN | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, Pb-free lead plating | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Rohm MOSFET verfügt über eine integrierte ESD-Schutzdiode und wird mit einem extrem kleinen VML0806-Gehäuse geliefert. Er hat einen Lagertemperaturbereich von -55 °C bis 155 °C und ist für allgemeine Gleichrichtung geeignet.
Niederspannungsantrieb (1,2 V)
Das ultrakleine Gehäuse (Größe 0806)
Für ParTable Geräte.
Einfache Antriebskreise möglich
Integrierte ESD-Schutzdiode.
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