Infineon AUIRFS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 230 A 81 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*

1.896,00 €

(ohne MwSt.)

2.256,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 12. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2000 +0,948 €1.896,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
244-0890
Herst. Teile-Nr.:
AUIRFR5305TR
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

230A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

AUIRFS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der MOSFET von Infineon wurde speziell für Kfz-Anwendungen entwickelt. Dieses zellulare Planar-Design von HEXFET®-Leistungs-MOSFETs nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumbereich zu erreichen.

Erweiterte Planar-Technologie

Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand

Dynamische dv/dt-Nennleistung

175 °C Betriebstemperatur

Verwandte Links