Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 75 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

1.755,00 €

(ohne MwSt.)

2.087,50 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 5.000 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 +0,702 €1.755,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
244-8545
Herst. Teile-Nr.:
IPD380P06NMATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Serie

IPD

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Channel-Modus

P

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon MOSFET OptiMOSTM Leistungstransistor verfügt über eine bleifreie Beschichtung, RoHS-konform und ist halogenfrei gemäß IEC61249-2-21.

P-Kanal

Sehr niedriger Einschaltwiderstand RDS(on)

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Normaler Pegel

Enhancement-Modus

Verwandte Links