Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 180 A 81 W, 3-Pin IPD80R280P7ATMA1 TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 244-0946
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD80R280P7ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 180A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.2mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.2mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die 800-V-CoolMOS-P7-Superjunction-MOSFETs der Serie von Infineon sind perfekt für SMPS-Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme geeignet, da sie die Marktanforderungen an Leistung, Benutzerfreundlichkeit und Preis/Leistungs-Verhältnis vollständig erfüllen. Sie konzentriert sich hauptsächlich auf Flyback-Anwendungen einschließlich Adapter und Ladegerät, LED-Treiber, Audio-SMPS, AUX und industrielle Stromversorgung. Insgesamt hilft er den Kunden, BOM-Kosten zu sparen und den Montageaufwand zu reduzieren.
Klassenbester DPAK RDS(on) von 280 mΩ
Klassebester V (GS) von 3 V und kleinste V-Abweichung (GS) von ± 0,5 V
Integrierter Zenerdioden-ESD-Schutz bis Klasse 2 (HBM)
Klassebeste Qualität und Zuverlässigkeit
Vollständig optimiertes Portfolio
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