Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
244-0945
Herst. Teile-Nr.:
IPD80R280P7ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

IPD

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.2mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Die 800-V-CoolMOS-P7-Superjunction-MOSFETs der Serie von Infineon sind perfekt für SMPS-Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme geeignet, da sie die Marktanforderungen an Leistung, Benutzerfreundlichkeit und Preis/Leistungs-Verhältnis vollständig erfüllen. Sie konzentriert sich hauptsächlich auf Flyback-Anwendungen einschließlich Adapter und Ladegerät, LED-Treiber, Audio-SMPS, AUX und industrielle Stromversorgung. Insgesamt hilft er den Kunden, BOM-Kosten zu sparen und den Montageaufwand zu reduzieren.

Klassenbester DPAK RDS(on) von 280 mΩ

Klassebester V (GS) von 3 V und kleinste V-Abweichung (GS) von ± 0,5 V

Integrierter Zenerdioden-ESD-Schutz bis Klasse 2 (HBM)

Klassebeste Qualität und Zuverlässigkeit

Vollständig optimiertes Portfolio

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