Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

3,19 €

(ohne MwSt.)

3,796 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 1.162 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 181,595 €3,19 €
20 - 481,345 €2,69 €
50 - 981,25 €2,50 €
100 - 1981,165 €2,33 €
200 +1,085 €2,17 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
244-0880
Herst. Teile-Nr.:
IPD650P06NMATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.7mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der MOSFET-Leistungstransistor Infineon OptiMOSTM hat eine bleifreie Leiterbeschichtung, ist RoHS-konform und halogenfrei gemäß IEC61249-2-21.

P-Kanal

Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand RDS(on)

100 % Lawinengeprüft

Normales Niveau

Enhancement-Modus

Verwandte Links