Infineon IPD65R660CFDAATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 6 A, 3-Pin TO-252

Der Infineon CoolMOS MOSFET ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Superjunction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die 650V-CoolMOS-CFDA-Serie kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Die resultierenden Geräte bieten alle Vorteile eines schnellen SJ-MOSFET und bieten gleichzeitig eine extrem schnelle und robuste Gehäusediode. Diese Kombination aus extrem niedrigen Schalt-, Kommutierungs- und Leitungsverlusten und höchster Robustheit macht besonders resonante Schaltanwendungen zuverlässiger, effizienter, leichter und kühler.

Ultraschnelle Gehäusediode
Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit
Extrem niedrige Verluste durch sehr geringe Verluste
Einfach zu verwenden/zu treiben
Zugelassen gemäß AEC Q101
Grünes Gehäuse (RoHS-konform)