Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 75 V / 180 A 81 W, 3-Pin IPD65R660CFDAATMA1 TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
IPD65R660CFDAATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon CoolMOS MOSFET ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Superjunction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die 650V-CoolMOS-CFDA-Serie kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Die resultierenden Geräte bieten alle Vorteile eines schnellen SJ-MOSFET und bieten gleichzeitig eine extrem schnelle und robuste Gehäusediode. Diese Kombination aus extrem niedrigen Schalt-, Kommutierungs- und Leitungsverlusten und höchster Robustheit macht besonders resonante Schaltanwendungen zuverlässiger, effizienter, leichter und kühler.

Ultraschnelle Gehäusediode

Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit

Extrem niedrige Verluste durch sehr geringe Verluste

Einfach zu verwenden/zu treiben

Zugelassen gemäß AEC Q101

Grünes Gehäuse (RoHS-konform)

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