Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
244-0879
Herst. Teile-Nr.:
IPD650P06NMATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

IPD

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.7mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der MOSFET-Leistungstransistor Infineon OptiMOSTM hat eine bleifreie Leiterbeschichtung, ist RoHS-konform und halogenfrei gemäß IEC61249-2-21.

P-Kanal

Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand RDS(on)

100 % Lawinengeprüft

Normales Niveau

Enhancement-Modus

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