DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 11 A 1.2 W, 3-Pin SC-59

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RS Best.-Nr.:
244-1912
Herst. Teile-Nr.:
DMN1019USNQ-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11A

Drain-Source-Spannung Vds max.

12V

Serie

DMN

Gehäusegröße

SC-59

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

41mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1.2W

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

50.6nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.7 mm

Länge

3.1mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.3mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der MOSFET von DiodesZetex ist für die strengen Anforderungen von Automobilanwendungen ausgelegt. Er ist nach AEC-Q101 qualifiziert, wird durch ein PPAP unterstützt und ist ideal für den Einsatz in Lastschaltern, Gleichspannungswandlern und Power-Management-Funktionen.

Geringer Einschaltwiderstand

ESD-geschütztes Gate

Völlig bleifrei und vollständig RoHS-konform

Halogen- und antimonfreies grünes Gerät

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