Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V / 100 A 81 W, 3-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 244-2268
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN60R360PFD7SATMA1
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
894,00 €
(ohne MwSt.)
1.065,00 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 08. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,298 € | 894,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 244-2268
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN60R360PFD7SATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | IPN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie IPN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der 600V CoolMOS™ PFD7 Superjunction-MOSFET (IPN60R360PFD7S) von Infineon ergänzt das CoolMOS™ 7-Angebot für Endverbraucheranwendungen. Der IPN60R360PFD7S im SOT-223-Gehäuse hat einen RDS(on) von 360 mOhm, was zu geringen Schaltverlusten führt.
Sehr niedriges FOM RDS(on) x Eoss
Integrierte robuste Fast-Body-Diode
Bis zu 2 kV ESD-Schutz
Breites Spektrum an RDS(on)-Werten
Hervorragende Kommutierungsrobustheit
Geringe EMI
Breites Gehäuseportfolio