Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V / 100 A 81 W, 3-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:
244-2269P
Herst. Teile-Nr.:
IPN60R360PFD7SATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

IPN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der 600V CoolMOS™ PFD7 Superjunction-MOSFET (IPN60R360PFD7S) von Infineon ergänzt das CoolMOS™ 7-Angebot für Endverbraucheranwendungen. Der IPN60R360PFD7S im SOT-223-Gehäuse hat einen RDS(on) von 360 mOhm, was zu geringen Schaltverlusten führt.

Sehr niedriges FOM RDS(on) x Eoss

Integrierte robuste Fast-Body-Diode

Bis zu 2 kV ESD-Schutz

Breites Spektrum an RDS(on)-Werten

Hervorragende Kommutierungsrobustheit

Geringe EMI

Breites Gehäuseportfolio

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