Littelfuse Typ N-Kanal, Oberfläche SiC-Leistungsmodul Erweiterung 200 V / 36 A 446 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 245-6997
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFH36N60X3
- Marke:
- Littelfuse
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | 6,816 € | 204,48 € |
| 120 - 480 | 5,923 € | 177,69 € |
| 510 - 990 | 5,384 € | 161,52 € |
| 1020 - 2490 | 5,241 € | 157,23 € |
| 2520 + | 5,112 € | 153,36 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 245-6997
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFH36N60X3
- Marke:
- Littelfuse
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Littelfuse | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | SiC-Leistungsmodul | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 36A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 90mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 446W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.4V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Littelfuse | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ SiC-Leistungsmodul | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 36A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 90mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 446W | ||
Durchlassspannung Vf 1.4V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieses Littelfuse Produkt ist ein 600-V-Ultra-Junction-MOSFET der X3-Klasse, erhältlich in 36 A Nennstrom und TO 247-Gehäuse. Diese Leistungs-MOSFETs verfügen über einen deutlich reduzierten Kanalwiderstand RDS ein und Gate-Ladung Qg. Sie verfügen über die niedrigsten Werte für RDS ein und RDS ein. Diese Vorteile ermöglichen es Entwicklern, eine höhere Effizienz mit vereinfachter thermischer Bauweise zu erreichen. Diese Leistungs-MOSFETs der HiPerFET-Serie verfügen über Gehäusedioden, die eine niedrige Rückgewinnungsladung und eine kurze Rückgewinnungszeit bieten.
Geringe statische Verluste
Gut geeignet für Hochfrequenzanwendungen
Vereinfachtes thermisches Design
Hohe Robustheit gegen Überspannung
Niedriger Gate-Ansteuerungsleistungsbedarf