Littelfuse N-Kanal, THT SiC-Leistungsmodul 600 V / 60 A, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 245-7002
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFH60N60X3
- Marke:
- Littelfuse
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
11,35 €
(ohne MwSt.)
13,51 €
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 4 | 11,35 € |
| 5 - 9 | 11,11 € |
| 10 - 29 | 10,26 € |
| 30 - 119 | 9,79 € |
| 120 + | 8,47 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 245-7002
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFH60N60X3
- Marke:
- Littelfuse
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Littelfuse | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 60 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Littelfuse | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 60 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 600 V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Dieses Littelfuse Produkt ist ein 600-V-Ultra-Junction-MOSFET der X3-Klasse, erhältlich in einem Nennstrom von 60 A und TO 247-Gehäuse. Diese Leistungs-MOSFETs verfügen über einen deutlich reduzierten Kanalwiderstand RDS ein und Gate-Ladung Qg. Sie verfügen über die niedrigsten Werte für RDS auf Qg und RDS auf . Diese Vorteile ermöglichen es Entwicklern, eine höhere Effizienz mit vereinfachter thermischer Bauweise zu erreichen. Diese Leistungs-MOSFETs der HiPerFET-Serie verfügen über Gehäusedioden, die eine niedrige Rückgewinnungsladung und eine kurze Rückgewinnungszeit bieten.
Geringe statische Verluste
Gut geeignet für Hochfrequenzanwendungen
Vereinfachtes thermisches Design
Hohe Robustheit gegen Überspannung
Niedriger Gate-Ansteuerungsleistungsbedarf
Gut geeignet für Hochfrequenzanwendungen
Vereinfachtes thermisches Design
Hohe Robustheit gegen Überspannung
Niedriger Gate-Ansteuerungsleistungsbedarf