Littelfuse Typ N-Kanal, Oberfläche SiC-Leistungsmodul Erweiterung 12 V / 36 A 446 W, 3-Pin IXFT60N60X3HV TO-268

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

8,89 €

(ohne MwSt.)

10,58 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 269 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 48,89 €
5 - 98,69 €
10 - 298,04 €
30 - 1197,67 €
120 +6,63 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
245-7012
Herst. Teile-Nr.:
IXFT60N60X3HV
Marke:
Littelfuse
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Littelfuse

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

SiC-Leistungsmodul

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

36A

Drain-Source-Spannung Vds max.

12V

Gehäusegröße

TO-268

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

90mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Verlustleistung Pd

446W

Durchlassspannung Vf

1.4V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Dieses Littelfuse Produkt ist ein 600-V-Ultra-Junction-MOSFET der X3-Klasse, erhältlich in einem Nennstrom von 60 A und TO 247-Gehäuse. Diese Leistungs-MOSFETs verfügen über einen deutlich reduzierten Kanalwiderstand RDS ein und Gate-Ladung Qg. Sie verfügen über die niedrigsten Werte für RDS auf Qg und RDS auf . Diese Vorteile ermöglichen es Entwicklern, eine höhere Effizienz mit vereinfachter thermischer Bauweise zu erreichen. Diese Leistungs-MOSFETs der HiPerFET-Serie verfügen über Gehäusedioden, die eine niedrige Rückgewinnungsladung und eine kurze Rückgewinnungszeit bieten.

Geringe statische Verluste

Gut geeignet für Hochfrequenzanwendungen

Vereinfachtes thermisches Design

Hohe Robustheit gegen Überspannung

Niedriger Gate-Ansteuerungsleistungsbedarf

Verwandte Links