DiodesZetex Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung 0.7 W, 6-Pin UDFN-2020

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RS Best.-Nr.:
246-6786
Herst. Teile-Nr.:
DMN10H6D2LFDB-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

UDFN-2020

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

0.7W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.2nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der DiodesZetex stellt einen N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET her, der den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) minimiert und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechterhält, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem U-DFN2020-6-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad. Es bietet ein ESD-geschütztes Gate (bis zu 1 kV).

Die maximale Ableitungs-Quellenspannung beträgt 100 V. Die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±20 V. Sie bietet eine niedrige Gate-Schwellenspannung. Sie bietet eine niedrige Eingangskapazität

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