DiodesZetex Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung 0.81 W, 6-Pin UDFN-2020

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RS Best.-Nr.:
246-6808
Herst. Teile-Nr.:
DMN3055LFDBQ-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

UDFN-2020

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.075Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11.2nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Maximale Verlustleistung Pd

0.81W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der DiodesZetex stellt einen N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET her, der die strengen Anforderungen von Kfz-Anwendungen erfüllt. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem U-DFN2020-6-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad.

Die maximale Ablass-Quellenspannung beträgt 30 V und die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±12 V. Sie bietet eine niedrige Eingangs-/Ausgangsleckspannung. Sie bietet eine niedrige Eingangskapazität

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