DiodesZetex Einfach Typ N-Kanal 1, SMD MOSFET 12 V Erweiterung / 11 A 2.17 W, 6-Pin UDFN-2020
- RS Best.-Nr.:
- 770-5266
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN1019UFDE-7
- Marke:
- DiodesZetex
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- DMN1019UFDE-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 12V | |
| Gehäusegröße | UDFN-2020 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -8/8 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.17W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Länge | 2.05mm | |
| Breite | 2.05 mm | |
| Höhe | 0.58mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 12V | ||
Gehäusegröße UDFN-2020 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -8/8 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.17W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Länge 2.05mm | ||
Breite 2.05 mm | ||
Höhe 0.58mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal-MOSFET, 12 V bis 28 V, Diodes Inc
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
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