- RS Best.-Nr.:
- 246-6788
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2014LHAB-13
- Marke:
- DiodesZetex
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- RS Best.-Nr.:
- 246-6788
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2014LHAB-13
- Marke:
- DiodesZetex
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der DiodesZetex stellt einen zweifachen N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET der neuen Generation her. Er wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem U-DFN2030-6-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad. Er hat einen Betriebstemperaturbereich von –55 °C bis +150 °C. Er bietet eine niedrige Eingangskapazität und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit.
Die maximale Ableitungs-Quellenspannung beträgt 20 V und die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±16 V. Es bietet ein ESD-geschütztes Gate mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand und niedriger Gate-Schwellenspannung
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 9 A |
Drain-Source-Spannung max. | 20 V |
Gehäusegröße | U-DFN2030 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 6 |
Drain-Source-Widerstand max. | 0,028 Ω |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 1.1V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
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