- RS Best.-Nr.:
- 246-6792
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2053UFDB-7
- Marke:
- DiodesZetex
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- RS Best.-Nr.:
- 246-6792
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2053UFDB-7
- Marke:
- DiodesZetex
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der DiodesZetex stellt einen N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET her, der den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) minimiert und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechterhält, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem U-DFN2020-6-Gehäuse und einem 0,6-mm-Profil geliefert, was ihn ideal für flache Anwendungen macht. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad. Seine zu 100 % ungeklemmte induktive Schaltung sorgt für eine zuverlässigere und robustere Endanwendung.
Die maximale Ableitungs-Quellenspannung beträgt 20 V. Die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±12 V. Sie hat eine Leiterplattenabmessung von 4 mm^2. Sie bietet eine niedrige Gate-Schwellenspannung. Sie bietet ein ESD-geschütztes Gate
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 4,6 A |
Drain-Source-Spannung max. | 20 V |
Gehäusegröße | U-DFN2020 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 6 |
Drain-Source-Widerstand max. | 0,056 Ω |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 1V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
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