- RS Best.-Nr.:
- 246-6868
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT3020UFDB-7
- Marke:
- DiodesZetex
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- 246-6868
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT3020UFDB-7
- Marke:
- DiodesZetex
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
DiodesZetex stellt einen Dual-N-Kanal-MOSFET im Anreicherungsmodus her, der so konzipiert ist, dass er den Durchlasswiderstand (RDS(ON)) minimiert und dennoch eine hervorragende Schaltleistung beibehält, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen eignet. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das völlig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird im U-DFN2020-6-Gehäuse geliefert und ist mit seinem 0,6-mm-Profil ideal für Anwendungen mit geringem Profil. Er bietet schnelles Schalten und hohe Effizienz. Seine zu 100 % ungeklemmte induktive Schaltung gewährleistet eine zuverlässigere und robustere Endanwendung.
Maximale Drain-Source-Spannung ist 30 V. Maximale Gate-Source-Spannung ist ±12 V. Er hat einen PCB Footprint von 4 mm² Er bietet eine niedrige Gate-Schwellenspannung Er bietet ein ESD-geschütztes Gate
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 6,5 A |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Gehäusegröße | U-DFN2020 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 6 |
Drain-Source-Widerstand max. | 0,03 Ω |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 1.7V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
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