DiodesZetex Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung 0.86 W, 6-Pin UDFN-2020

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RS Best.-Nr.:
246-6868
Herst. Teile-Nr.:
DMT3020UFDB-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

UDFN-2020

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.03Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.8nC

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Maximale Verlustleistung Pd

0.86W

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der DiodesZetex ist ein zweifacher N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET, der den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) minimiert und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechterhält, womit er ideal für hocheffiziente Leistungsmanagementanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem U-DFN2020-6-Gehäuse und einem 0,6-mm-Profil geliefert, was ihn ideal für flache Anwendungen macht. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad. Seine zu 100 % ungeklemmte induktive Schaltung sorgt für eine zuverlässigere und robustere Endanwendung.

Die maximale Ableitungs-Quellenspannung beträgt 30 V. Die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±12 V. Sie hat eine Leiterplattenabmessung von 4 mm^2. Sie bietet eine niedrige Gate-Schwellenspannung. Sie bietet ein ESD-geschütztes Gate

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