DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 41 A 1.73 W, 8-Pin PowerDI3333-8

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RS Best.-Nr.:
246-6909
Herst. Teile-Nr.:
DMTH6016LFVWQ-7-A
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

41A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PowerDI3333-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.027Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

1.73W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der DiodesZetex MOSFET wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Kfz-Anwendungen zu erfüllen. Er wird von einem PPAP unterstützt und ist ideal für den Einsatz in: Hinterleuchtung, Stromüberwachungsfunktionen und DC/DC-Wandlern. Er ist im Gehäuse powerDI3333-8 (SWP) (Typ UX) erhältlich.

Ausgelegt für +175 °C, ideal für Umgebungen mit hoher Umgebungstemperatur. 100 % Unclamped Inductive Switching (UIS) Test in der Produktion sorgt für zuverlässigere und robustere Endanwendungen. Kleines, thermisch effizientes Gehäuse ermöglicht Endprodukte mit höherer Dichte

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