DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 41 A 1.73 W, 8-Pin DMTH6016LFVWQ-7-A PowerDI3333-8
- RS Best.-Nr.:
- 246-7568
- Herst. Teile-Nr.:
- DMTH6016LFVWQ-7-A
- Marke:
- DiodesZetex
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- Herst. Teile-Nr.:
- DMTH6016LFVWQ-7-A
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 41A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PowerDI3333-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.027Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.73W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 41A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PowerDI3333-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.027Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.73W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex MOSFET wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Kfz-Anwendungen zu erfüllen. Er wird von einem PPAP unterstützt und ist ideal für den Einsatz in: Hinterleuchtung, Stromüberwachungsfunktionen und DC/DC-Wandlern. Er ist im Gehäuse powerDI3333-8 (SWP) (Typ UX) erhältlich.
Ausgelegt für +175 °C, ideal für Umgebungen mit hoher Umgebungstemperatur. 100 % Unclamped Inductive Switching (UIS) Test in der Produktion sorgt für zuverlässigere und robustere Endanwendungen. Kleines, thermisch effizientes Gehäuse ermöglicht Endprodukte mit höherer Dichte
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