DiodesZetex Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4.6 A 0.38 W, 6-Pin US DMC2710UDWQ-7

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RS Best.-Nr.:
246-7498
Herst. Teile-Nr.:
DMC2710UDWQ-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

US

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.7nC

Maximale Verlustleistung Pd

0.38W

Gate-Source-spannung max Vgs

±6 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der DiodesZetex ist ein ergänzender Paar-Verbesserungs-MOSFET, der den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) minimiert und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechterhält, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem SOT363-Gehäuse und einem 0,6-mm-Profil geliefert, was ihn ideal für flache Anwendungen macht. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad. Seine zu 100 % ungeklemmte induktive Schaltung sorgt für eine zuverlässigere und robustere Endanwendung.

Die maximale Drain-Quellenspannung beträgt 20 V. Die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±6 V. Sie bietet eine ultrakleine Gehäusegröße. Ihr thermisch effizientes Gehäuse ermöglicht Endprodukte mit höherer Dichte

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