DiodesZetex Typ N, Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung 2.14 W, 8-Pin SOIC DMC4050SSDQ-13
- RS Best.-Nr.:
- 246-7501
- Herst. Teile-Nr.:
- DMC4050SSDQ-13
- Marke:
- DiodesZetex
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
6,50 €
(ohne MwSt.)
7,70 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 2.380 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,65 € | 6,50 € |
| 50 - 90 | 0,639 € | 6,39 € |
| 100 - 240 | 0,499 € | 4,99 € |
| 250 - 990 | 0,488 € | 4,88 € |
| 1000 + | 0,446 € | 4,46 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 246-7501
- Herst. Teile-Nr.:
- DMC4050SSDQ-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.06Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.14W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 37.56nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.06Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.14W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37.56nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der DiodesZetex wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Kfz-Anwendungen zu erfüllen. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem SO-8-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad. Seine zu 100 % ungeklemmte induktive Schaltung sorgt für eine zuverlässigere und robustere Endanwendung. Er hat einen Betriebstemperaturbereich von –55 °C bis +150 °C.
Die maximale Drain-Quellenspannung beträgt 40 V und die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±20 V. Ihr niedriger RDS(ON) hilft bei der Minimierung von Leistungsverlusten. Ihr niedriger Qg hilft bei der Minimierung von Schaltverlusten
Verwandte Links
- DiodesZetex Typ N Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung 2.14 W, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Typ N Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung 2.14 W, 8-Pin SOIC DMC4040SSDQ-13
- DiodesZetex Isoliert Typ P Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 7.5 A 2.14 W, 8-Pin SOIC DMC4040SSD-13
- DiodesZetex Isoliert Typ P Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 7.5 A 2.14 W, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Isoliert Typ P-Kanal 2 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Typ N Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung 1.6 W, 8-Pin SOIC DMHC6070LSD-13
- DiodesZetex Typ P Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung 1.5 W, 8-Pin SOIC DMHC4035LSDQ-13
