DiodesZetex N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 270 mA 0.7 W, 6-Pin UDFN-2020

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
246-7507P
Herst. Teile-Nr.:
DMN10H6D2LFDB-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

270mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

UDFN-2020

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.2nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

0.7W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der DiodesZetex stellt einen N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET her, der den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) minimiert und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechterhält, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem U-DFN2020-6-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad. Es bietet ein ESD-geschütztes Gate (bis zu 1 kV).

Die maximale Ableitungs-Quellenspannung beträgt 100 V. Die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±20 V. Sie bietet eine niedrige Gate-Schwellenspannung. Sie bietet eine niedrige Eingangskapazität

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