DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 4 A 1.73 W, 8-Pin PowerDI3333-8
- RS Best.-Nr.:
- 246-7519
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN6069SFVW-7
- Marke:
- DiodesZetex
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PowerDI3333-8 | |
| Serie | DMN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.1Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.73W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 2.7mm | |
| Breite | 2 mm | |
| Höhe | 0.85mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PowerDI3333-8 | ||
Serie DMN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.1Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.73W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 2.7mm | ||
Breite 2 mm | ||
Höhe 0.85mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex stellt einen N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET her, der den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) minimiert und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechterhält, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem powerDI3333-8-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad.
Die maximale Ablass-Quellenspannung beträgt 60 V. Die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±20 V. Es bietet einen kleinen Formfaktor und ein thermisch effizientes Gehäuse ermöglicht Endprodukte mit höherer Dichte. Es bietet ein kleines, thermisch effizientes Gehäuse ermöglicht Endprodukte mit höherer Dichte. Benetzbare Flanke für verbesserte optische Inspektionen
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