onsemi, Durchsteckmontage SiC-Leistungsmodul 1200 V 250 W F1-2PACK

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RS Best.-Nr.:
248-5823
Herst. Teile-Nr.:
NXH010P120MNF1PTG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

SiC-Leistungsmodul

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

F1-2PACK

Montageart

Durchsteckmontage

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

SiC-Modul - EliteSiC 2-PACK Halbbrückentopologie, 1200 V, 10 mohm SiC M1 MOSFET Einpressstifte, Wärmeleitmaterial


Der ON Semiconductor ist ein Leistungsmodul, das eine SiC-MOSFET-Halbbrücke mit 10 mohm/1200 V und einen Thermistor in einem F1-Gehäuse enthält.

10 mohm/1200 V SiC-MOSFET-Halbbrücke

Optionen mit vorappliziertem Wärmeleitmaterial und ohne vorappliziertes TIM

Einpressstifte

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