Infineon IMBG65R022M1HXTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 64 A, 7-Pin TO-263-7
- RS Best.-Nr.:
- 248-9309
- Herst. Teile-Nr.:
- IMBG65R022M1HXTMA1
- Marke:
- Infineon
Voraussichtlich ab 15.07.2025 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 1000)
10,336 €
(ohne MwSt.)
12,30 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
---|---|---|
1000 + | 10,336 € | 10.336,00 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 248-9309
- Herst. Teile-Nr.:
- IMBG65R022M1HXTMA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der 650-V-CoolSiC-MOSFET von Infineon basiert auf der massiven Siliziumkarbid-Technologie und nutzt die Eigenschaften des SiC-Materials mit breiter Bandlücke. Der 650-V-CoolSiC-MOSFET bietet eine einzigartige Kombination aus Leistung, Zuverlässigkeit und Benutzerfreundlichkeit, ist für hohe Temperaturen und raue Betriebsbedingungen geeignet und ermöglicht den vereinfachten und kostengünstigen Einsatz von Systemen mit höchster Effizienz.
Optimiertes Schaltverhalten bei höheren Strömen
Kommutierungsrobuste Fast-Body-Diode mit niedrigem Qf
Hervorragende Gate-Oxid-Zuverlässigkeit
Tj,max-175 °C und ausgezeichnetes thermisches Verhalten
Geringerer RDS(on) und Pulsstromabhängigkeit von der Temperatur
Erhöhte Avalanche-Fähigkeit
Kompatibel mit Standardtreibern
Kelvin-Source bietet bis zu 4-mal geringere Schaltverluste
Kommutierungsrobuste Fast-Body-Diode mit niedrigem Qf
Hervorragende Gate-Oxid-Zuverlässigkeit
Tj,max-175 °C und ausgezeichnetes thermisches Verhalten
Geringerer RDS(on) und Pulsstromabhängigkeit von der Temperatur
Erhöhte Avalanche-Fähigkeit
Kompatibel mit Standardtreibern
Kelvin-Source bietet bis zu 4-mal geringere Schaltverluste
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 64 A |
Drain-Source-Spannung max. | 650 V |
Gehäusegröße | TO-263-7 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 7 |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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