Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 80 A 81 W, 3-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 249-6905
Herst. Teile-Nr.:: IPB80N08S2L07ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 80 A 81 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:: 249-6905
Herst. Teile-Nr.:: IPB80N08S2L07ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	80A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	75V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	iPB
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.7mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	81W
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	80nC
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 75V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie iPB
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.7mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 81W
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - IPB80N08S2L07ATMA1

75V, N-Ch, 6,8 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOSTM

Der Infineon OptiMOS ist ein Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen. Der Betriebskanal ist N. Er ist AEC Q101-qualifiziert. MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow. Grünes Produkt (RoHS-konform) und es ist zu 100 % Lawinengeprüft.

Zusammenfassung der Merkmale

•N-Kanal-Logikpegel – Verstärkungsmodus

•Kfz AEC Q101 zugelassen

•MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung

•175 °C Betriebstemperatur

•grünen Paket (bleifrei)

•Extrem niedriger RDS(on)

•100 % Lawinengeprüft

Vorteile

•der weltweit niedrigste RDS bei 75V (ein) in der Planartechnik

•höchste Stromkapazität

•Geringste Schalt- und Leitungsstromverluste für höchste thermische Effizienz

•Robustes Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit

•Optimierte Gesamt-Gate-Ladung ermöglicht kleinere Treiberausgangsstufen

Anwendungsmöglichkeiten

•Ventilsteuerung

•Magnetsteuerung

•Beleuchtung

•Einseitige Motoren