Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 80 A 81 W, 3-Pin IPB80N08S2L07ATMA1 TO-263

RS Best.-Nr.:: 249-6906
Herst. Teile-Nr.:: IPB80N08S2L07ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 80 A 81 W, 3-Pin IPB80N08S2L07ATMA1 TO-263

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

5,34 €

(ohne MwSt.)

6,35 €

(inkl. MwSt.)

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Auf Lager

1.998 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück
1 - 9	5,34 €
10 - 24	5,07 €
25 - 49	4,86 €
50 - 99	4,64 €
100 +	4,33 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 249-6906
Herst. Teile-Nr.:: IPB80N08S2L07ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	80A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	75V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	iPB
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.7mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	80nC
	Maximale Verlustleistung Pd	81W
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 75V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie iPB
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.7mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC
	Maximale Verlustleistung Pd 81W
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - IPB80N08S2L07ATMA1

75V, N-Ch, 6,8 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOSTM

Der Infineon OptiMOS ist ein Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen. Der Betriebskanal ist N. Er ist AEC Q101-qualifiziert. MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow. Grünes Produkt (RoHS-konform) und es ist zu 100 % Lawinengeprüft.

Zusammenfassung der Merkmale

•N-Kanal-Logikpegel – Verstärkungsmodus

•Kfz AEC Q101 zugelassen

•MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung

•175 °C Betriebstemperatur

•grünen Paket (bleifrei)

•Extrem niedriger RDS(on)

•100 % Lawinengeprüft

Vorteile

•der weltweit niedrigste RDS bei 75V (ein) in der Planartechnik

•höchste Stromkapazität

•Geringste Schalt- und Leitungsstromverluste für höchste thermische Effizienz

•Robustes Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit

•Optimierte Gesamt-Gate-Ladung ermöglicht kleinere Treiberausgangsstufen

Anwendungsmöglichkeiten

•Ventilsteuerung

•Magnetsteuerung

•Beleuchtung

•Einseitige Motoren