Infineon IMBG65R083M1HXTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 28 A, 7-Pin TO-263-7

Der 650-V-CoolSiC-MOSFET von Infineon basiert auf der massiven Siliziumkarbid-Technologie und nutzt die Eigenschaften des SiC-Materials mit breiter Bandlücke. Der 650-V-CoolSiC-MOSFET bietet eine einzigartige Kombination aus Leistung, Zuverlässigkeit und Benutzerfreundlichkeit, ist für hohe Temperaturen und raue Betriebsbedingungen geeignet und ermöglicht den vereinfachten und kostengünstigen Einsatz von Systemen mit höchster Effizienz.

Optimiertes Schaltverhalten bei höheren Strömen
Kommutierungsrobuste Fast-Body-Diode mit niedrigem Qf
Hervorragende Gate-Oxid-Zuverlässigkeit
Tj,max-175 °C und ausgezeichnetes thermisches Verhalten
Geringerer RDS(on) und Pulsstromabhängigkeit von der Temperatur
Erhöhte Avalanche-Fähigkeit
Kompatibel mit Standardtreibern
Kelvin-Source bietet bis zu 4-mal geringere Schaltverluste