Infineon Halb- und Vollbrückenkonfiguration (2X) BTN99x0LV Typ P, Typ N-Kanal 2 MOSFET 40 V Doppelt / 115 A, 7-Pin PG

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RS Best.-Nr.:
249-3346
Herst. Teile-Nr.:
BTN9990LVAUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

115A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

BTN99x0LV

Gehäusegröße

PG HSOF-7

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9.6mΩ

Channel-Modus

Doppelt

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Transistor-Konfiguration

Halb- und Vollbrückenkonfiguration (2X)

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q100/Q006 (Grade 1)

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q006, AEC-Q100

BTN99x0LV von Infineon gehört zur NovalithIC-Familie und enthält einen p-Kanal High-Side-MOSFET und einen n-Kanal Low-Side-MOSFET mit einem integrierten Treiber-IC in einem Gehäuse. Durch den p-Kanal-High-Side-Schalter entfällt die Notwendigkeit einer Ladungspumpe, was die EMI minimiert. BTN99x0LV bietet eine kostenoptimierte Lösung für geschützte Hochstrom-PWM-Motorantriebe mit sehr geringem Platzbedarf auf der Platine. Die BTN99x0LV-Bausteine werden in einem kleinen PG-HSOF-7-1-Gehäuse geliefert. Sie werden in Anwendungen wie 12-V-Bürsten-Gleichstrommotoren, Gurtstraffern, Sitzsteuerungen, Kraftstoffpumpen, elektrischen Hebetüren, Schiebetüren und HV AC-Steuermodulen eingesetzt.

Einfaches und schnelles Design-in von Treibern, MOSFETs, Laststrommessung sowie Diagnose- und Schutzfunktionen

Integration von Hochleistungs-PMOS-, NMOS- und Treiber-ICs minimiert den Design- und Fertigungsaufwand

Kosten- und Leiterplattenflächenoptimierung

Höhere Systemzuverlässigkeit durch integrierte Diagnose-, Strommess- und Schutzfunktionen

Volle Flexibilität durch Unterstützung von Halb- und Vollbrückenkonfiguration (2x)

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