Infineon Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 1200 V Erweiterung / 400 A 81 W, 8-Pin AG-EASY3B FF2MR12W3M1HB11BPSA1

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Herst. Teile-Nr.:
FF2MR12W3M1HB11BPSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

400A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

AG-EASY3B

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.44mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

-10 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC 60747, 60749 and 60068

Automobilstandard

AEC-Q101

Das Halfbridge-Modul CoolSiC MOSFET EasyDUALTM 3B 1200 V/1,44 mΩ von Infineon mit CoolSiCTM MOSFET mit erweiterter Generation 1, integriertem NTC-Temperatursensor und PressFIT-Kontakttechnologie.

Geringe Schaltverluste

Hohe Stromdichte

Geringe induktive Bauweise

PressFIT-Kontakttechnologie

Integrierter NTC-Temperatursensor

Robuste Montage durch integrierte Montageklemmen

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