Infineon FS55MR12W1M1H_B11 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 1200 V Erweiterung / 15 A 81 W, 8-Pin AG-EASY1B

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

75,20 €

(ohne MwSt.)

89,49 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 20 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 175,20 €
2 - 471,44 €
5 - 968,43 €
10 - 1965,43 €
20 +62,42 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
250-0229
Herst. Teile-Nr.:
FS55MR12W1M1HB11NPSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

15A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

AG-EASY1B

Serie

FS55MR12W1M1H_B11

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

114mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Source-spannung max Vgs

-10 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC 60747, 60749 and 60068

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon CoolSiC MOSFET EasyPACKTM 1B 1200 V/55 mΩ Sechskantmodul mit CoolSiCTM MOSFET mit erweiterter Generation 1, NTC- und PressFIT-Kontakttechnologie.

Geringe Induktivität

Geringe Schaltverluste

Robuste Montage durch integrierte Montageklemmen

PressFIT-Kontakttechnologie

Integrierter NTC-Temperatursensor

Verwandte Links