Infineon FS55MR12W1M1H_B11 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 1200 V Erweiterung / 15 A 81 W, 8-Pin AG-EASY1B

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RS Best.-Nr.:
250-0228
Herst. Teile-Nr.:
FS55MR12W1M1HB11NPSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

15A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

FS55MR12W1M1H_B11

Gehäusegröße

AG-EASY1B

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

114mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

-10 V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC 60747, 60749 and 60068

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon CoolSiC MOSFET EasyPACKTM 1B 1200 V/55 mΩ Sechskantmodul mit CoolSiCTM MOSFET mit erweiterter Generation 1, NTC- und PressFIT-Kontakttechnologie.

Geringe Induktivität

Geringe Schaltverluste

Robuste Montage durch integrierte Montageklemmen

PressFIT-Kontakttechnologie

Integrierter NTC-Temperatursensor

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