Infineon BSD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -20 V / 390 mA 0.25 W, 6-Pin US
- RS Best.-Nr.:
- 250-0520
- Herst. Teile-Nr.:
- BSD223PH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 390mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -20V | |
| Gehäusegröße | US | |
| Serie | BSD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.20Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.25W | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 390mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -20V | ||
Gehäusegröße US | ||
Serie BSD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.20Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.25W | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET der BSD-Serie von Infineon - 20 V Drain-Source-Spannung, 0,25 W Verlustleistung - BSD223PH6327XTSA1
Dieser P-Kanal-MOSFET ist ein oberflächenmontierter Transistor, der für das Schalten mit geringem Stromverbrauch über einen breiten Temperaturbereich ausgelegt ist. Er dient als Enhancement-Mode-Gerät zur Stromregelung in kompakten Baugruppen und eignet sich für Umgebungen, die eine erweiterte Wärmetoleranz und eine Qualifizierung in Automobilqualität erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Der Drain-Source-Widerstand von 1,20 Ω sorgt für ein vorhersehbares Leitungsverhalten
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 0,39 A unterstützt Schaltlasten mit niedrigem Strom
• 12-V-Gate-Source-Nennleistung ermöglicht Standard-Gate-Treiber-Spannungen
• Die Drain-Source-Grenze von -20 V ermöglicht den Betrieb in Schaltkreisen mit negativer Spannung
• Die Verlustleistung von 0,25 W minimiert die thermische Belastung in kleinen Baugruppen
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 0,39 A unterstützt Schaltlasten mit niedrigem Strom
• 12-V-Gate-Source-Nennleistung ermöglicht Standard-Gate-Treiber-Spannungen
• Die Drain-Source-Grenze von -20 V ermöglicht den Betrieb in Schaltkreisen mit negativer Spannung
• Die Verlustleistung von 0,25 W minimiert die thermische Belastung in kleinen Baugruppen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Batteriemanagement und Stromübertragungsaufgaben mit geringem Stromverbrauch
• Ideal für die Signalumschaltung in kompakter oberflächenmontierter Elektronik
• Einsatz mit Kfz-Sensorschnittstellen, die eine Temperaturbeständigkeit erfordern
• Kann zur Pegelverschiebung in Steuerschaltkreisen mit gemischter Spannung verwendet werden
• Ideal für die Signalumschaltung in kompakter oberflächenmontierter Elektronik
• Einsatz mit Kfz-Sensorschnittstellen, die eine Temperaturbeständigkeit erfordern
• Kann zur Pegelverschiebung in Steuerschaltkreisen mit gemischter Spannung verwendet werden
Welchen Temperatur extremen Temperaturen kann er standhalten?
Er arbeitet in einem Umgebungsbereich von -55 °C bis +150 °C.
Welches Gehäuse und welche Montageart wird verwendet?
Er wird in einem SOT‐363-Gehäuse mit einer oberflächenmontierbaren Grundfläche und sechs Stiften geliefert.
Entspricht er den Umweltstandards der Industrie?
Er erfüllt die RoHS-Anforderungen und ist nach AEC-Q101 für den Einsatz im Automobilbereich qualifiziert.
Welchen Kanaltyp und -modus verwendet er?
Es handelt sich um ein P-Kanal-Gerät, das im Enhancement-Modus arbeitet.
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