Infineon BSD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / -0.39 A 81 W, 6-Pin US

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RS Best.-Nr.:
250-0520
Herst. Teile-Nr.:
BSD223PH6327XTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-0.39A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

US

Serie

BSD

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Die hochinnovativen OptiMOS™-Familien von Infineon umfassen Enhancement-Modus-Mosfets mit Super Logikpegel. Das Produkt ist Avalanche- und dv/dt-getestet. Es bietet schnelles Umschalten. Das Gerät ist Pb-frei und halogenfrei. Vds ist -20 V, Rds(on) ist 1,2 Ω und Id ist -0,39 A.

Konstante Erfüllung der höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen

Hervorragender Durchlasswiderstand und Leistungskennzahl

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