Infineon BSR N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 3.7 A 81 W, 3-Pin SOT-223

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250-0540P
Herst. Teile-Nr.:
BSR802NL6327HTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

BSR

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Optimos 2 Small-Signal-Transistor wird von Infineon hergestellt. Es handelt sich um einen P-Kanal-Transistor im Enhancement-Modus, der häufig in Anwendungen mit hohem Schaltvermögen eingesetzt wird. Das Produkt ist Avalanche-getestet und halogenfrei.

Logikpegel (4,5 V Nennspannung)

Avalanche-getestet und 100 % bleifrei

Maximale Verlustleistung 360 mW

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