Nexperia PSMN1R2-55SLHAX N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 330 A, 4-Pin LFPAK88

Der Nexperia 330 Ampere Dauerstrom, Logikpegel-Gate-Treiber N-Kanal-Enhancement-MOSFET im 175 °C LFPAK88-Gehäuse. Teil der ASFET-Familie für Batterieisolierung und Gleichstrommotorsteuerung und mit der einzigartigen \"SchottkyPlus\"-Technologie von Nexperia, die einen hohen Wirkungsgrad und eine geringe Spitzenleistung bietet, die üblicherweise mit MOSFETs mit einer integrierten Schottky- oder Schottky-ähnlichen Diode verbunden ist, jedoch ohne problematischen hohen Leckstrom.

Kupferclip- und Lötmatrizenbefestigung für niedrige Gehäuseinduktivität und Widerstand und hohe ID(max)-Einstufung.
Qualifiziert für 175 °
C-Avalanche-Einstufung, 100 % geprüft.
Niedrige QG, QGD und QOSS für hohen Wirkungsgrad, insbesondere bei höheren Schaltfrequenzen.
Super-Schnelle Schaltung mit weichem Gehäuse-Dioden-Wiederherstellung für niedrige Spitzen und Klingeln, empfohlen für Designs mit niedrigem EMI.
Schmale VGS(th)-Einstufung für einfache Parallelführung und verbesserte Stromteilung.
Sehr starke lineare Modus-/sichere Betriebsbereichseigenschaften für sichere und zuverlässige Schaltung unter Hochstrombedingungen