Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 0.41 A 375 W, 4-Pin LFPAK88

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RS Best.-Nr.:
251-7922
Herst. Teile-Nr.:
PSMNR90-50SLHAX
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

0.41A

Drain-Source-Spannung Vds max.

50V

Gehäusegröße

LFPAK88

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

112nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

1.7 mm

Länge

8.1mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

8.1mm

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal Enhancement Mode MOSFET von Nexperia im 175 °C LFPAK88-Paket mit 410 A Dauerstrom und Logic-Level Gate-Ansteuerung. Teil der ASFET-Familie für Batterieisolierung und Gleichstrommotorsteuerung und mit der einzigartigen \"SchottkyPlus\"-Technologie von Nexperia, die einen hohen Wirkungsgrad und eine geringe Spitzenleistung bietet, die üblicherweise mit MOSFETs mit einer integrierten Schottky- oder Schottky-ähnlichen Diode verbunden ist, jedoch ohne problematischen hohen Leckstrom.

Kupferclip- und Lötmatrizenbefestigung für niedrige Gehäuseinduktivität und Widerstand und hohe ID(max)-Einstufung.

Qualifiziert für 175 °

C-Avalanche-Einstufung, 100 % geprüft.

Niedrige QG, QGD und QOSS für hohen Wirkungsgrad, insbesondere bei höheren Schaltfrequenzen.

Super-Schnelle Schaltung mit weichem Gehäuse-Dioden-Wiederherstellung für niedrige Spitzen und Klingeln, empfohlen für Designs mit niedrigem EMI.

Schmale VGS(th)-Einstufung für einfache Parallelführung und verbesserte Stromteilung.

Sehr starke lineare Modus-/sichere Betriebsbereichseigenschaften für sichere und zuverlässige Schaltung unter Hochstrombedingungen

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