Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / 13.6 A 5.6 W, 8-Pin SO-8

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

750,00 €

(ohne MwSt.)

900,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 5.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 +0,30 €750,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
252-0245
Herst. Teile-Nr.:
SI4155DY-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-30V

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.03mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

58nC

Maximale Verlustleistung Pd

5.6W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Die MOSFET-Produktlinie von Vishay Siliconix umfasst ein breites Spektrum an fortschrittlichen Technologien. MOSFETs sind Transistorbauelemente, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der Feldeffekt bedeutet, dass sie durch Spannung gesteuert werden. Das Substrat des P-Kanal-MOSFETS enthält Elektronen und Elektronenlöcher. P-Kanal-MOSFETs sind mit einer positiven Spannung verbunden. Diese MOSFETs schalten sich ein, wenn die am Gate-Anschluss anliegende Spannung niedriger ist als die Ausgangsspannung.

TrenchFET Leistungs-MOSFET

100 % Rg und UIS getestet

Verwandte Links