- RS Best.-Nr.:
- 252-0259
- Herst. Teile-Nr.:
- SIDR5802EP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Zurzeit nicht verfügbar, Versand erfolgt sobald lieferbar.
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 3000)
1,438 €
(ohne MwSt.)
1,711 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
---|---|---|
3000 + | 1,438 € | 4.314,00 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 252-0259
- Herst. Teile-Nr.:
- SIDR5802EP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die MOSFET-Produktlinie von Vishay Siliconix umfasst ein breites Spektrum an fortschrittlichen Technologien. MOSFETs sind Transistorbauelemente, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der Feldeffekt bedeutet, dass sie durch Spannung gesteuert werden. N-Kanal-MOSFETs enthalten zusätzliche Elektronen, die sich frei bewegen können. Die Produkte sind ein beliebter Kanaltyp. N-Kanal-MOSFETs werden aktiv, wenn eine positive Ladung an den Gate-Anschluss angelegt wird.
TrenchFET Gen V Leistungs-MOSFET
Sehr niedrige RDS-Qg-Leistungszahl (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS - Qoss FOM
100 % Rg und UIS getestet
Sehr niedrige RDS-Qg-Leistungszahl (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS - Qoss FOM
100 % Rg und UIS getestet
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 153 A |
Drain-Source-Spannung max. | 80 V |
Gehäusegröße | PowerPAK SO-8DC |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Verwandte Produkte
- Vishay SIDR5802EP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 153 A, 8-Pin...
- Vishay SiDR680ADP SIDR680ADP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 137...
- Vishay SiDR104ADP SiDR104ADP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 81...
- Vishay SiDR170DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 95 A, 8-Pin...
- Vishay SiDR626LDP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 204 A, 8-Pin...
- Vishay SiDR626LEP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 218 A, 8-Pin...
- Vishay SiDR392DP SIDR392DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100...
- Vishay SIDR610EP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 39,6 A, 8-Pin...