- RS Best.-Nr.:
- 252-0289
- Herst. Teile-Nr.:
- SIS4608LDN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
---|---|---|
10 - 90 | 0,843 € | 8,43 € |
100 - 490 | 0,792 € | 7,92 € |
500 - 990 | 0,717 € | 7,17 € |
1000 - 2490 | 0,675 € | 6,75 € |
2500 + | 0,633 € | 6,33 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 252-0289
- Herst. Teile-Nr.:
- SIS4608LDN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die MOSFET-Produktlinie von Vishay Siliconix umfasst ein breites Spektrum an fortschrittlichen Technologien. MOSFETs sind Transistorbauelemente, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der Feldeffekt bedeutet, dass sie durch Spannung gesteuert werden. N-Kanal-MOSFETs enthalten zusätzliche Elektronen, die sich frei bewegen können. Die Produkte sind ein beliebter Kanaltyp. N-Kanal-MOSFETs werden aktiv, wenn eine positive Ladung an den Gate-Anschluss angelegt wird.
TrenchFET Gen V Leistungs-MOSFET
Sehr niedrige RDS-Qg-Leistungszahl (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS - Qoss FOM
100 % Rg und UIS getestet
Sehr niedrige RDS-Qg-Leistungszahl (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS - Qoss FOM
100 % Rg und UIS getestet
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 36,2 A |
Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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