Vishay SIZF640DT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 159 A, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5FS
- RS Best.-Nr.:
- 252-0296
- Herst. Teile-Nr.:
- SIZF640DT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Voraussichtlich ab 04.06.2025 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 3000)
1,554 €
(ohne MwSt.)
1,849 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
---|---|---|
3000 + | 1,554 € | 4.662,00 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 252-0296
- Herst. Teile-Nr.:
- SIZF640DT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die MOSFET-Produktlinie von Vishay Siliconix umfasst ein breites Spektrum an fortschrittlichen Technologien. MOSFETs sind Transistorbauelemente, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der Feldeffekt bedeutet, dass sie durch Spannung gesteuert werden. N-Kanal-MOSFETs enthalten zusätzliche Elektronen, die sich frei bewegen können. Die Produkte sind ein beliebter Kanaltyp. N-Kanal-MOSFETs werden aktiv, wenn eine positive Ladung an den Gate-Anschluss angelegt wird.
TrenchFET Gen IV Leistungs-MOSFET
100 % Rg und UIS-geprüft
Symmetrischer Dual-N-Kanal
Flip-Chip-Technologie optimales thermisches Design
High-Side- und Low-Side-MOSFETs bilden optimierte
Kombination für 50 % Einschaltdauer
100 % Rg und UIS-geprüft
Symmetrischer Dual-N-Kanal
Flip-Chip-Technologie optimales thermisches Design
High-Side- und Low-Side-MOSFETs bilden optimierte
Kombination für 50 % Einschaltdauer
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 159 A |
Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
Gehäusegröße | PowerPAIR 6 x 5FS |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
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