Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 430 A 214 W, 8-Pin PowerPAK (8x8LR)
- RS Best.-Nr.:
- 252-0312
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJQ184E-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,07 € | 8,14 € |
| 20 - 48 | 3,83 € | 7,66 € |
| 50 - 98 | 3,455 € | 6,91 € |
| 100 - 198 | 3,25 € | 6,50 € |
| 200 + | 3,055 € | 6,11 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 252-0312
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJQ184E-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 430A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK (8x8LR) | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0014mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 214W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 43nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 430A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße PowerPAK (8x8LR) | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0014mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 214W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 43nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die MOSFETs von Vishay für den Automobilbereich werden in einem speziellen Prozessablauf hergestellt, um eine hohe Robustheit zu gewährleisten. Die nach AEC-Q101 qualifizierte SQ-Serie von Vishay Siliconix ist für eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C ausgelegt und verfügt über n- und p-Kanal-Trench-FET-Technologien mit niedrigem Durchlasswiderstand in blei- und halogenfreien SO-Gehäusen.
TrenchFET Leistungs-MOSFET
AEC-Q101 qualifiziert
100 % Rg und UIS getestet
Dünne 1,9 mm Höhe
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