Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 430 A 214 W, 8-Pin PowerPAK (8x8LR)

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

7,71 €

(ohne MwSt.)

9,174 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 692 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 183,855 €7,71 €
20 - 483,63 €7,26 €
50 - 983,275 €6,55 €
100 - 1983,085 €6,17 €
200 +2,90 €5,80 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
252-0312
Herst. Teile-Nr.:
SQJQ184E-T1_GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

430A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

PowerPAK (8x8LR)

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0014mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

43nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Verlustleistung Pd

214W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.9 mm

Länge

6.15mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Die MOSFETs von Vishay für den Automobilbereich werden in einem speziellen Prozessablauf hergestellt, um eine hohe Robustheit zu gewährleisten. Die nach AEC-Q101 qualifizierte SQ-Serie von Vishay Siliconix ist für eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C ausgelegt und verfügt über n- und p-Kanal-Trench-FET-Technologien mit niedrigem Durchlasswiderstand in blei- und halogenfreien SO-Gehäusen.

TrenchFET Leistungs-MOSFET

AEC-Q101 qualifiziert

100 % Rg und UIS getestet

Dünne 1,9 mm Höhe

Verwandte Links