Texas Instruments Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 2.3 W Picostar YSE 6
- RS Best.-Nr.:
- 252-8633
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD83325LT
- Marke:
- Texas Instruments
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- Marke:
- Texas Instruments
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Gehäusegröße | Picostar YSE 6 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10.9nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.3W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Gehäusegröße Picostar YSE 6 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.9nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.3W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
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