Texas Instruments Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 2.3 W Picostar YSE 6
- RS Best.-Nr.:
- 252-8633
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD83325LT
- Marke:
- Texas Instruments
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 252-8633
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD83325LT
- Marke:
- Texas Instruments
Technische Daten
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Gehäusegröße | Picostar YSE 6 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10.9nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.3W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Gehäusegröße Picostar YSE 6 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.9nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.3W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Verwandte Links
- Texas Instruments Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 2.3 W Picostar YSE 6
- Texas Instruments Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2.3 A 1.9 W PICOSTAR
- Texas Instruments Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 2.1 A 1.9 W PICOSTAR
- Texas Instruments Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 182 A 1.9 W PICOSTAR
- Texas Instruments Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.5 A 1.9 W PICOSTAR
- Texas Instruments FemtoFET N-Kanal 3-Pin PICOSTAR
- Texas Instruments FemtoFET Typ N-Kanal 3-Pin PICOSTAR
- Texas Instruments Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -12 V / 2.9 A 1.9 W PICOSTAR