Infineon IAUA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A 81 W, 8-Pin PG-HSOF-5

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RS Best.-Nr.:
254-7198
Herst. Teile-Nr.:
IAUA200N04S5N010AUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

IAUA

Gehäusegröße

PG-HSOF-5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Die Automobil-MOSFETs der Serie IAUA von Infineons bestehen aus einem N-Kanal mit Verstärkungsmodus auf normalem Niveau mit einer Betriebstemperatur von 175 °C. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Produkt mit verbesserter elektrischer Prüfung.

Robuste Bauweise: Die Nennspannung von Ablass bis zur Quelle beträgt 40 V, die Verlustleistung beträgt 167 W

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