DiodesZetex Typ N-Kanal MOSFET 20 V 1 W X4-DSN1111-4
- RS Best.-Nr.:
- 254-8599
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2030UCA4-7
- Marke:
- DiodesZetex
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- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | X4-DSN1111-4 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.6nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße X4-DSN1111-4 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.6nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der DiodeZetex-Verstärkungsmodus-MOSFET wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromverwaltungsanwendungen ist. Er ist für den Schutz von Batterien und Batterien geeignet
Einsatz in Lastschaltern mit hoher Schaltgeschwindigkeit, halogen- und antimonfrei
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