DiodesZetex N-Kanal MOSFET 20 V 1 W X4-DSN1111-4
- RS Best.-Nr.:
- 254-8599
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2030UCA4-7
- Marke:
- DiodesZetex
Nicht verfügbar
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- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2030UCA4-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | X4-DSN1111-4 | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.6nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße X4-DSN1111-4 | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.6nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der DiodeZetex-Verstärkungsmodus-MOSFET wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromverwaltungsanwendungen ist. Er ist für den Schutz von Batterien und Batterien geeignet
Einsatz in Lastschaltern mit hoher Schaltgeschwindigkeit, halogen- und antimonfrei
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