DiodesZetex Typ N-Kanal MOSFET 20 V 1 W X4-DSN1111-4
- RS Best.-Nr.:
- 254-8599
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2030UCA4-7
- Marke:
- DiodesZetex
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- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | X4-DSN1111-4 | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.6nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße X4-DSN1111-4 | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.6nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der DiodeZetex-Verstärkungsmodus-MOSFET wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromverwaltungsanwendungen ist. Er ist für den Schutz von Batterien und Batterien geeignet
Einsatz in Lastschaltern mit hoher Schaltgeschwindigkeit, halogen- und antimonfrei
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